wsza15m3h一体化生活污水处理设备设施《资讯》
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核心提示:wsz-a-1.5m3/h一体化生活污水处理设备设施,污水处理设备大生产厂家,多种产品供您选择:一体化污水处理设备、生活污水处理设备、医院污水处理设备、气浮机、二氧化氯发生器、加药装置、口腔诊所污水处理设备、一体化泵站、斜管沉淀设备、UASB厌氧设备等。wsz-a-1.5m3/h一体化生活污水处理设备设施污水处理设备大生产厂家,多种产品供您选择:一体化污水处理设备、生活污水处理设备、医院污水处理设备、气浮机、二氧化氯发生器、加药装置、口腔诊所污水处理设备、一体化泵站、斜管沉淀设备、UASB厌氧设备等。污水设备研发、生产、销售、运输、安装、调控;设备排放达到国家排放标准。单级卡鲁塞尔氧化沟脱氮除磷工艺 单级卡鲁塞尔氧化沟有两种形式:一是有缺氧段的卡鲁塞尔氧化沟,可在单一池内实现部分反硝化作用,使用于有部分反硝化要求,但要求不高的场合。另一种是卡鲁塞尔A/C工艺,即在氧化沟上游加设厌氧池,可提高活性污泥的沉降性能,有效控制活性污泥膨胀,出水磷的含量通常在2.0mg/l以下。以上两种工艺一般用于现有氧化沟的改造,与标准的卡鲁塞尔氧化沟工艺相比变动不大,相当于传统活性污泥工艺的A/O和A2/O工艺。 .合建式卡鲁塞尔氧化沟 缺氧区与好氧区合建式氧化沟式美国EIMCO公司专为卡鲁塞尔系统设计的一种先进的生物脱氮除磷工艺(卡鲁塞尔2000型)。它的构造上的主要改进是在氧化沟内设置了一个独立的缺氧区。缺氧区回流渠的端口处装有一个可调节的活门。根据出水含氮量的要求,调节活门张开程度,可控制进入缺氧区的流量。缺氧和好氧区合建式氧化沟的关键在与于对曝气设备充氧量的控制,必须保证进入回流渠处的混合液处于缺氧状态,为反硝化创造良好环境。缺氧区内有潜水搅拌器,具有混合和维持污泥悬浮的作用。 在卡鲁塞尔2000型基础上增加前置厌氧区,可以达到脱氮除磷的目的,被称为A2/C卡鲁塞尔氧化沟。
四阶段卡鲁塞尔Bardenpho系统在卡鲁塞尔2000型系统下游增加了第二缺氧池及再曝气池,实现更高程度的脱氮。五阶段卡鲁塞尔Bardenpho系统在A2/C卡鲁塞尔系统的下游增加了第二缺氧池和在曝气池,实现更高程度的脱氮和除磷。 综上所述,厌氧,缺氧与好氧合建的氧化沟系统可以分为三阶段A2/O系统以及四、五阶段Bardenpho系统,这几个系统均是A/O系统的强化和反复,因此这种工艺的脱氮除磷效果很好,脱氮率达90%-95%。 另外,卡鲁塞尔3000型氧化沟也有较好的脱氮除磷效果。在此不加以详述。 合建式一体化氧化沟 是指集曝气、沉淀、泥水分离和污泥回流功能为一体,无需建造单独二沉池的氧化沟。这种氧化沟设有专门的固液分离装置和措施。它既是连续进出水,又是合建式,且不用倒换功能,从理论上讲最经济合理,且具有很好的脱氮除磷效果。 一体化氧化沟除一般氧化沟所具有的优点外,还有以下独特的优点: ①工艺流程短,构筑物和设备少,不设初沉池、调节池和单独的二沉池; ②污泥自动回流,投资少、能耗低、占地少、管理简便; ③造价低,建造快,设备事故率低,运行管理工作量少; ④固液分离效果比一般二次沉淀池高,使系统在较大的流量浓度范围内稳定运行。预处理措施 对于废水中的胶体和颗粒物,预处理采用了砂滤器及叠片过滤器。砂滤器的过滤介质为粒径0.5~0.8mm的石英砂,能去除粒径为100μm以上的颗粒,使浊度达到1左右。 叠片过滤器是通过一系列刻有大量一定微米尺寸沟槽的叠片在弹簧和流体压力的作用下被压紧,从而形成独特的深层过滤,能有效截留前级砂滤器截留不了的细颗粒悬浮物,过滤精度为55μm。 设置活性炭吸附器能有效去除废水中的游离氯,保护反渗透膜不受损害,同时也可以吸附水中的有机物、胶体粒子等。活性炭的粒度为1.25~2.5mm,层厚为1.5~2.0m。 为了防止在膜面上发生无机盐结垢,可在水中投加阻垢剂,阻垢剂一般选用有机磷酸盐,其处理效果比六偏磷酸钠更好更稳定,适用于防止不溶性的铝和铁的化合物结垢。对于去除废水中氧化性物质,可以在水中投加还原剂,一般选用亚硫酸氢钠。 03 RO膜的选材及设计 针对电镀废水的特点,应用于电镀废水回用处理的RO膜应选用抗污染型膜元件。抗污染型膜元件是卷式芳香族聚酰胺复合膜元件,具有低压运行、产水量高、脱盐性能好的特点,同时由于采用特殊工艺对膜表面进行处理,改变了膜表面的电荷性及光滑度,增加了膜表面的亲水性,从而减小了污染物及微生物在膜表面的污染。 在设计上,要根据产水流量、回收率以及产水水质,确定系统串联元件数、段数及级数。为保证产水水质以及延长膜元件的使用寿命,设计过水通量一般比膜元件的额定过水通量要低20%~30%。因此,虽然首次的投资会稍高,但却能保证膜处理系统长期稳定的运行,并降低运行费用。 本工程实例中,为实现70%的系统回收率,选取了一级两段式的RO系统,两段压力容器的数量之比为2∶1,这样就可以避免因进入第二段膜元件的水流降低而产生膜表面沉积的现象。
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